Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN HF-Transistor - 12V, 80mA, 8GHz - SOT-323 (SC-70) 3-Pin | Hochwertiger SMD Transistor
15,99 €*
Sofort verfügbar, Lieferzeit: 2 - 4 Tage
Infineon BFR193WH6327XTSA1 NPN HF-Transistor - 12V, 80mA, 8GHz - SOT-323 (SC-70) 3-Pin | Hochwertiger SMD Transistor
Entdecken Sie den Infineon BFR193WH6327XTSA1 SMD NPN HF-Transistor, der für moderne Anwendungen in der Hochfrequenztechnik konzipiert wurde. Dieser leistungsstarke Transistor bietet eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 12 V und hat einen beeindruckenden maximalen Kollektorstrom von 80 mA, was ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Schaltungen macht.
Mit seiner hohen Frequenz von bis zu 8 GHz und einer Verlustleistung von maximal 580 mW ist dieser Transistor perfekt für Anwendungen geeignet, die Präzision und Effizienz erfordern. Dank der kompakten SOT-323 (SC-70) Bauform und der SMD-Montage ist er einfach in diverse Designs integrierbar.
Die einmalige Transistor-Konfiguration mit 3 Pins gewährleistet eine hervorragende Leistung, während die Abmessungen von nur 2 x 1,25 x 0,8 mm den Einsatz in platzsparenden Projekten erleichtern. Vertrauen Sie auf Infineon für Qualität und Zuverlässigkeit in Ihren Hochfrequenzanwendungen.
| Abmessungen: | 2 x 1.25 x 0.8mm |
|---|---|
| Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
| Arbeitsfrequenz max.: | 8 GHz |
| Basis-Emitter Spannung max.: | 2 V |
| DC Kollektorstrom max.: | 80 mA |
| Gehäusegröße: | SOT-323 (SC-70) |
| Kollektor-Basis-Spannung max.: | 20 V |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 12 V |
| Montage-Typ: | SMD |
| Pinanzahl: | 3 |
| Transistor-Konfiguration: | Einfach |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Verlustleistung max.: | 580 mW |